Spintron est une société innovante, agissant dans l’industrie des semi-conducteurs et proposant la solution de stockage de données réalisant le meilleur compromis entre les besoins du marché et les contraintes de fabrication. Le succès de cette stratégie est fondé sur notre mémoire magnétique enfouie à accès aléatoire, encore appelée “e-MRAM”. La mémoire magnétique est pressentie comme la future mémoire idéale, combinant la densité de la DRAM avec la vitesse de la SRAM et la non-volatilité de la FLASH.

Notre mission est ainsi de proposer la solution de stockage de données réalisant le meilleur compromis entre les besoins du marché et les contraintes de fabrication. La stratégie de l’entreprise repose sur l’utilisation de support de stockage de données le plus efficace, c’est-à-dire le disque dur, et son implémentation en technologie silicium, offrant ainsi la meilleure solution de mémoire sur silicium.

Au cœur de notre produit mémoire se trouvent de minuscules domaines ferromagnétiques intégrés dans la cellule mémoire : ils permettent à notre produit d’opérer comme une mémoire rapide à accès aléatoire. Quand un champ magnétique est appliqué localement à un domaine ferromagnétique, les spins des électrons se déplacent dans la direction du champ. Quand le champ magnétique est supprimé, les spins des électrons gardent leur direction, préservant ainsi l’état de la mémoire.Les mémoires non-volatiles usuelles telles que les EEPROM ou les FLASH demandent des temps d’écriture importants et se dégradent après quelques millions d’écriture.

Notre mémoire s’écrit instantanément, a une endurance virtuellement illimitée et ne nécessite pas de haute tension interne impérative dans les technologies à grille flottante.